1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,3А; 0,5Вт; PG-SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002H6327XTSA2
9,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,3А
Технологія: OptiMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 100V

242,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 6,8мкГн; 300мА; R: 1Ом; ±20%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 6,8мкГн; 300мА; R: 1Ом; ±20%; LQH; 180мм

7,35 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
6,8мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Недоступний
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 267Ом; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,57 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
267Ом
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-103; brass; 3N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 4700мкФ; 25ВDC; Ø16x31,5мм

91,87 грн

Висота:
31,5мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3,4; 5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А

937,03 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 30/28А; Idm: 40А; 2,1/2,2Вт

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28/60нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 60А; 108Вт; VSON-CLIP8

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
VSON-CLIP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK

371,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
118нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,4А; 1Вт; SO8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; 2Вт; SO8

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15А; 122Вт; PG-VSON-4

318,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
PG-VSON-4
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 13А; 5,8Вт; PQFN2X2

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
PQFN2X2