Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,1А; Idm: 15А; 0,85Вт; TO92

Немає в наявності
Код товару: ZVN4306AV
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: ZVN4306AV
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,45Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,85Вт
Струм стока: 1,1А
Струм стоку в імпульсі: 15А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; steel; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2mm; GKS-112; steel; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 63,4кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 63,4кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

30,60 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 12А; 12A/250ВAC; RSB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; 12А; 12A/250ВAC; RSB

237,58 грн

Зовнішні розміри:
29x15,7x12,5мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
12А
Матеріал контакту:
AgNi
Недоступний
Резистор: thin film; 66,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 66,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT