Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 11А; Idm: 68А; 4,8Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: BXT090N06B
25,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BXT090N06B
Виробник: BRIDGELUX
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 99нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,8Вт
Струм стока: 11А
Струм стоку в імпульсі: 68А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷150В; 40÷72Гц; Uмакс: 150В; 96x96мм
Вольтметр; на панель; ВAC: 0÷150В; 40÷72Гц; Uмакс: 150В; 96x96мм

1485,68 грн

Вимір:
напруги AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Діапазон вимірювання напруги AC:
0...150В
Довжина шкали:
97мм
Недоступний
Мірник: потужності; LCD TFT 4,3"; 50А; 1кВ; Сервіс: Modbus,SCPI
Мірник: потужності; LCD TFT 4,3"; 50А; 1кВ; Сервіс: Modbus,SCPI

108954,77 грн

Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 4,3"
Вимір:
активної потужності; напруги AC; напруги DC; струму AC; струму DC; уявної потужності; частоти
Інтерфейс:
Ethernet; GPIB; RS232; USB
Максимальна напруга:
1кВ
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 102кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

3,80 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8