Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 120А; 5Вт; SO8

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 120А; 5Вт; SO8
Brand: ONSEMI
SKU: FDS86540
Price: 110.87 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: FDS86540

110,87 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

FDS86540

Виробник:

ONSEMI

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

65нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

60В

Опір в стані провідності:

4,5мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

5Вт

Струм стока:

18А

Струм стоку в імпульсі:

120А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
0,12мкКл

Корпус:
H2PAK-2

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
24,1нКл

Корпус:
PowerPAK® 1212-8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,6нКл

Корпус:
SOT323

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT223