Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,6А; Idm: 24А; 1,5Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: FDN86501LZ
62,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDN86501LZ
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 3,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 116мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Амперметр; на панель; I DC: 0÷1,5А; Клас: 1,5; Довжина: 160мм; 600В
Амперметр; на панель; I DC: 0÷1,5А; Клас: 1,5; Довжина: 160мм; 600В

2898,51 грн

Вимір:
струму DC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Діапазон вимірювання струму DC:
0...1,5А
Довжина шкали:
160мм
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 40; SMT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 40; SMT; 3A; 150V

1164,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
ролик
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 750Ом; SMD; 2512; 1,5Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

76,66 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
2000шт.
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 6А; Uном: 125В; ПВХ
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 6А; Uном: 125В; ПВХ

51,95 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
чорний
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 55А; ±20%; 19,1x19,05x7мм; H: 7мм
Реактор: дротяний; SMD; 1мкГн; 55А; ±20%; 19,1x19,05x7мм; H: 7мм

243,92 грн

Висота:
7мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,96МОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,96МОм; 0603; 100мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,96МОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24МОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,24МОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл