Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: DMS3014SFGQ-7
60,19 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMS3014SFGQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,69Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 28,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 28,7Ом; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
28,7Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 8,66кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 8,66кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
8,66кОм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THR,THT; 3A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THR,THT; 3A

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
9,2мм
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 10А; 10A/250ВAC

44,98 грн

Виводи:
до лютування
Кількість пін:
4
Конструкція:
одна обмотка
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Резистор: вуглецевий; 33кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; осьові; L: 16мм
Резистор: вуглецевий; 33кОм; THT; 2Вт; ±5%; 500В; осьові; L: 16мм

5,07 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,5мм
Довжина:
16мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 5,11кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 4,32кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,32кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
4,32кОм
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404