Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 300мА; Idm: 2А; 500мВт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002K-AU_R1_000A2
7,60 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002K-AU_R1_000A2
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: 0,3А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 8,06Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; SPDT; Iконтактів max: 16А

124,18 грн

Зовнішні розміри:
22,5x16,5x19мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
16А
Модель реле:
мініатюрний
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь; 16мм
Конектор: плоский; IDC; прямий; неізольований; луджений; мідь; 16мм

4,72 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
IDC
Загальна довжина:
16мм
Матеріал контакту:
мідь
Гайка; із заземленням; PG11; латунь; 21мм; Різьбл: PG; нікель
Гайка; із заземленням; PG11; латунь; 21мм; Різьбл: PG; нікель

79,83 грн

Версія введення:
із заземленням
Вид різьблення:
PG
Застосування - серія/виробник:
SKINDICHT®
Матеріал корпусу:
латунь
Резистор: thick film; 12Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 12Ом; 0805; 125мВт; ±5%; ERJ6GEY; 200ppm/°C

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3÷3,6ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 3÷3,6ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 84мА

162,82 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
84мА
Вхідна напруга:
3...3,6В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD