Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 330мА; Idm: 1,6А; 1Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VN0606L-G
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VN0606L-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: 0,33А
Струм стоку в імпульсі: 1,6А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 4,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,2кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,4пФ
Недоступний
Діод: TVS; 6,78В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 6,78В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

870,50 грн

Зворотна напруга макс.:
5,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
6,78В
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 20; штекерний; промислова; SA28; 400В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 20; штекерний; промислова; SA28; 400В

1260,77 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Зовнішній діаметр проводу:
13...16мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Uвих.2: -12ВDC

837,56 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідна напруга 2:
-12В DC
Вихідний струм:
0,25А
Вхідна напруга:
18...75В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 16,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В
Резистор: thin film; 16,4кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RN73R; 75В

1,03 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 4,3кОм; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247