Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,3А; Idm: 20А; 1,6Вт; TSOT23-6

Немає в наявності
Код товару: FDC5661N-F085
13,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDC5661N-F085
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,5нКл
Корпус: TSOT23-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,6Вт
Струм стока: 4,3А
Струм стоку в імпульсі: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 11,7кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

5,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 33; THT; 3A; 125V

187,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
2,5мм
Довжина відводів:
2,8мм
Недоступний
Резистор: metal film; 62кОм; THT; 0,4Вт; ±1%; MF; 200В; Ш0,45x28мм
Резистор: metal film; 62кОм; THT; 0,4Вт; ±1%; MF; 200В; Ш0,45x28мм

1,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,9мм
Довжина:
3,7мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Кишеня датчика; G1/2"; Довжина капіляра: 110мм; CAS,KPS,MBC,RT
Кишеня датчика; G1/2"; Довжина капіляра: 110мм; CAS,KPS,MBC,RT

8383,18 грн

Діаметр внутрішній:
13,5мм
Діаметр зовнішній:
15мм
Довжина капіляра:
110мм
Застосування - серія/виробник:
CAS; KPS; MBC; RT
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; SMT; straight

10,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
14,2мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 15; штекерний; промислова; WY40; 500В
Роз’єм: круглі; вилка; PIN: 15; штекерний; промислова; WY40; 500В

731,12 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Недоступний
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJUP3D; 150В
Резистор: thick film; 47кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±0,5%; ERJUP3D; 150В

2,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8