Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 42А; Idm: 80А; 69Вт; Power56

Немає в наявності
Код товару: FDMS86520
83,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS86520
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 11мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 2,5А; Iмакс: 100А; MF-SM; 1812
Запобіжник: полімерний PTC; SMD; 2,5А; Iмакс: 100А; MF-SM; 1812

20,21 грн

Вид упаковки:
ролик
Застосування запобіжників:
автомобільні застосування; стандартні застосування
Корпус - дюйм:
1812
Максимальна напруга:
16В
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 20А; DPAK; Ufmax: 0,415В; Ifsm: 150А
Діод: випрямний; SMD; 100В; 20А; DPAK; Ufmax: 0,415В; Ifsm: 150А

20,02 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DPAK
Недоступний
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 100ВDC; Ø18x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 330мкФ; 100ВDC; Ø18x20мм; ±20%

226,81 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
18мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,2мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NC; 0÷1,2мм; 10÷30ВDC; M5; 2м; IP67

2866,20 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,2мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
25,1мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD