Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 5,5А; Idm: 30А; 1,2Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: DMN6040SE-13
29,78 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMN6040SE-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 22,4нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 55мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 5,5А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 132мА; SIP
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 132мА; SIP

452,99 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
132мА
Вхідна напруга:
5В DC
Зовнішні розміри:
11,68x10,16x7,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 673Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

20,40 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 1,27кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,27кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
1,27кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SBR®; SMD; 30В; 1А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SOD323; SBR®; SMD; 30В; 1А; ролик,cтрічка

33,58 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,15А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,15А

29,14 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 38,3кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл