Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; Idm: 100А; 60Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: FDD5680
35,67 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: FDD5680
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 42мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 8,5А
Струм стоку в імпульсі: 100А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 100мкФ; 100ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 100мкФ; 100ВDC; ±20%

11,72 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
25мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Модуль автоматики: рутер; 9÷36ВDC; Ethernet,RS232 x1; IP30
Модуль автоматики: рутер; 9÷36ВDC; Ethernet,RS232 x1; IP30

26006,75 грн

Зовнішні розміри:
87x30x127мм
Інтерфейс:
Ethernet; RS232 x1
Клас герметичності:
IP30
Комунікаційний протокол:
LTE CAT 4
Недоступний
Резистор: power metal; 620Ом; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø5,2x19,5мм
Резистор: power metal; 620Ом; THT; 3Вт; ±5%; 750В; Ø5,2x19,5мм

5,96 грн

Виводи:
осьові
Властивості резисторів:
висока потужність при малих розмірах
Діаметр:
5,2мм
Довжина:
19,5мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6нФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD

3,59 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Thermistor: NTC; 15kΩ; SMD; 0402; 3998K; ±5%; 1mW
Thermistor: NTC; 15kΩ; SMD; 0402; 3998K; ±5%; 1mW

1,25 грн

Type of thermistor:
NTC
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 20÷22,1В; 102,7А; односпрямована; SMC; ролик
Діод: TVS; 3кВт; 20÷22,1В; 102,7А; односпрямована; SMC; ролик

43,72 грн

Вид упаковки:
ролик
Зворотна напруга макс.:
18В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23