Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1,6А; Idm: 3,9А; 5Вт

Немає в наявності
Код товару: IPN60R3K4CEATMA1
8,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 3,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 1,6А
Струм стоку в імпульсі: 3,9А
Технологія: CoolMOS™ CE
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 280кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 280кОм; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
280кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,1кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; U2J; ±5%; SMD; 0603; 180мм

1,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 16В; X5R; ±20%; SMD; 1206

7,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 13; SMT; straight

38,65 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; HQ; 50В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; HQ; 50В

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Діод: зенера; 0,5Вт; 7,78÷8,19В; SMD; MiniMELF,SOD80
Діод: зенера; 0,5Вт; 7,78÷8,19В; SMD; MiniMELF,SOD80

1,59 грн

Зенерівська напруга:
7,78...8,19В
Корпус:
MiniMELF; SOD80
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-VSON-4
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс

414,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 8,3Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 15А; 8,3Вт; DFN3x3 EP

16,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,6нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 23А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 23А; 9Вт; DFN3x3 EP

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

27,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 110А; 250Вт; TO263

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
126нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
D2PAK