Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PJMF390N65EC_T0_00001
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJMF390N65EC_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 19нКл
Корпус: ITO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 390мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29,5Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; SMT; straight

255,32 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; 1м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

680,44 грн

Довжина кабелю:
1м
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 15А; THT
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 15А; THT

3844,40 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
15А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Додаткові функції:
регулювання вихідного струму
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 8,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

1,38 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; 200В

0,57 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Гніздовий; PIN: 2; затискання; натуральний; 5мм
Гніздовий; PIN: 2; затискання; натуральний; 5мм

57,65 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Колір:
натуральний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 1206

1,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 96А; 480Вт; TO247-3

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 320Вт; TO220AB; 95нс

530,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 3А; 125Вт; TO220AB; 24нс

227,45 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
1,07мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 52А; 960Вт; TO247-3

727,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 15А; 290Вт; ISOPLUS247™

1766,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
197нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 72А; 125Вт; TO220

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В