1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; D2PAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 30А; 90Вт; D2PAK
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FCB260N65S3
206,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCB260N65S3
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 90Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 56кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 56кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; TC; 150В

1,75 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перетворювач: AC/DC; 4Вт; Uвх: 80÷264ВAC,115÷370ВDC; Uвих: 3,3ВDC
Перетворювач: AC/DC; 4Вт; Uвх: 80÷264ВAC,115÷370ВDC; Uвих: 3,3ВDC

722,25 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
1,2А
Вхідна напруга:
80...264В AC; 115...370В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Ковпачок; втискуваний; ПВХ; Корпус: чорний; Підсв: немає; ATE
Ковпачок; втискуваний; ПВХ; Корпус: чорний; Підсв: немає; ATE

22,81 грн

Застосування - серія/виробник:
ATE
Колір корпусу:
чорний
Матеріал корпусу:
ПВХ
Монтаж:
втискуваний
Недоступний
Датчик руху; накладний; 8м; Вид датчика: інфракрасний; 120°
Датчик руху; накладний; 8м; Вид датчика: інфракрасний; 120°

0,00 грн

Батарея/акумулятор:
немає
Вид датчика:
інфракрасний
Дальність:
8м
Джерело живлення:
батарея AAA 1,5В x3
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 3,75кВ; Uce: 80В

41,81 грн

CTR@If:
50-150%@1mA
Вид виходу:
транзисторний
Кількість каналів:
1
Корпус:
Mini-flat 4pin
Недоступний
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,3В; SMD; SOD323; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,3В; SMD; SOD323; одиночний діод

1,84 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
4,3В
Корпус:
SOD323
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,24кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1,24кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; -55÷125°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 48А; Idm: 272А; 64Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
26нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Напруга сток-джерело:
750В
Опір в стані провідності:
15мОм
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,68 грн

Напруга сток-джерело:
100В
Струм стока:
300А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD