Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 17А; Idm: 60А; 208Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB125N65E-GE3
249,62 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHB125N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,12Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 17А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; USB 2.0; Apple Lightning вилка,USB C вилка; 0,5м; чорний
Кабель; USB 2.0; Apple Lightning вилка,USB C вилка; 0,5м; чорний

898,38 грн

Вид жили:
Cu
Властивості з’єднувального кабелю:
сертифікат MFI
Діаметр жили:
22AWG; 30AWG
Довжина кабелю:
0,5м
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

1052,33 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 105Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,05%

24,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V

267,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
25,8мм
Резистор: дротяний; 470Ом; 3Вт; ±5%; -55÷275°C; 20ppm/°C; осьові
Резистор: дротяний; 470Ом; 3Вт; ±5%; -55÷275°C; 20ppm/°C; осьові

37,63 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,6мм
Довжина:
15,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Набір інструментів: загального застосування
Набір інструментів: загального застосування

3506,09 грн

Вид упаковки:
в поролоновій вставці
Тип набору інструментів:
загального застосування
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл