Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; 290Вт; TO220AB; 350нс

Немає в наявності
Код товару: IXTP20N65X2
337,68 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTP20N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,185Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 290Вт
Струм стока: 20А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,35мкс
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м

4849,22 грн

Довжина проводу:
0,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm

606,94 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
90
Клас горючості:
UL94V-0
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1

651,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид модуля:
DAC; перетворювач D/A
Вихідна напруга:
0...5В DC; 0...10В DC
Інтегральна схема:
GP8211S
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

1,79 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 158кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 7А; 7A/250ВAC; UB
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPDT; 7А; 7A/250ВAC; UB

827,42 грн

Зовнішні розміри:
21,2x16,2x14,9мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Макс. струм контактів:
7А
Матеріал контакту:
AgNi 90/10
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247