Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 128А; 240Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: WSJM65R099DQ
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: WSJM65R099DQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 57нКл
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 99мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 600В; If: 50Аx2; SOT227B; 100А
Модуль: діодний; подвійна незалежна; 600В; If: 50Аx2; SOT227B; 100А

2365,69 грн

Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOT227B
Недоступний
Резистор: thick film; 71,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.
Резистор: thick film; 71,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 5000шт.

0,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
3,2x1,6x0,55мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА; SMT
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 200мА; SMT

885,07 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Додаткові функції:
OFF
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; 1кВ; PIN: 1; без контактів; 10мм
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; 1кВ; PIN: 1; без контактів; 10мм

262,29 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
1
Модель роз’єму:
без контактів
Недоступний
Резистор: thin film; 523Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 523Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Провід; Xtra Guard® 1; 15x16AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ
Провід; Xtra Guard® 1; 15x16AWG; екранований,плівка AL-PET; ПВХ

959035,01 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA AWM I/II A/B FT4; UL 1015; UL 2501; UL 21896; VW-1
Недоступний
LED; у корпусі; бурштиновий,зелений; К-ть діодів: 2; 3мм; 20мА
LED; у корпусі; бурштиновий,зелений; К-ть діодів: 2; 3мм; 20мА

64,62 грн

Діаметр діода ДУВ:
3мм
Довжина хвилі λd:
568нм; 605нм
Кількість діодів:
2
Колір діода LED:
бурштиновий; зелений
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3