Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20А; Idm: 22А; 290Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTA20N65X2
276,86 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,185Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 290Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Наконечник; конус,подовжене; 1мм; 413°C; з нагрівачем; SmartHeat®
Наконечник; конус,подовжене; 1мм; 413°C; з нагрівачем; SmartHeat®

1710,60 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Модель:
з нагрівачем
Розміри наконечника:
1мм
Супутні товари:
MX-500AV; MX-500S; MX-5210; MX-5241; MX-5251; MX-H1-AV; MX-RM3E
Недоступний
Резистор: thick film; 28,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 28,7Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB
Резистор: thin film; 475Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3AEB

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ
IC: Oпераційний підсилювач; 1,3МГц; Ch: 2; 4,5÷15,5ВDC; SO8; 130дБ

193,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
high voltage gain
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,8мВ
Вхідний поляризаційний струм:
4пА
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 68; THT; 3A; 250V

361,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 19; THT; 3A; 250V

68,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
20,7мм
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF
Резистор: thick film; 6,81кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8А; 68Вт; D2PAK

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3; ESD

95,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,6А; Idm: 16А; 125Вт

200,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
78нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,7А; 0,76Вт; SOT23; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; 0,6Вт; SOT23; ESD

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 500мА; Idm: 1,2А; 500мВт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
0,95нКл
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 8А; 57Вт; SOT223

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD