Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 184Вт; PowerPAK® 1012

Немає в наявності
Код товару: SIHK100N65E-T1-GE3
295,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SIHK100N65E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® 1012
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 184Вт
Струм стока: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252

33,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 2

1586,42 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
150кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD