Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 184Вт; PowerPAK® 8x8L

Немає в наявності
Код товару: SIHH100N65E-T1-GE3
330,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIHH100N65E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 184Вт
Струм стока: 28А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 4,22Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,89 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 120мА; RF
Реле: напівпровідниковe; SPST-NO; Uупр: 5ВDC; Iупр: 3А; 120мА; RF

534,09 грн

Зовнішні розміри:
2,1x1,8x2,9мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
1-фазний; PhotoMOS
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; RK73H; 25В

0,15 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HQ; 200В

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 10мА; TO220-3
Тиристор: стандартний; 400В; Ifмакс: 20А; 12,8А; Igt: 10мА; TO220-3

100,10 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 64; SMT; 3A; 250V

729,85 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвх: 167мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 13,5÷16,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвх: 167мА

140,02 грн

Використання:
IoT; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
13,5...16,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8