Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3,2А; 28Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD65R190C7ATMA1
72,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD65R190C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 28Вт
Струм стока: 3,2А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Fuse: fuse; 13.7x6.03x6.19mm; intrinsically safe; SMD; 250mA; 304
Fuse: fuse; 13.7x6.03x6.19mm; intrinsically safe; SMD; 250mA; 304

1132,79 грн

Виводи:
паяльні пункти
Вид запобіжника:
intrinsically safe
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Відповідність стандарту:
ATEX / IECEx; CE; C-UL-US
Недоступний
Резистор: thick film; 24,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24,3кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 25; THT; 3A; 250V

182,46 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 3,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC; MSOP8; туба
IC: Oпераційний підсилювач; 3,9МГц; Ch: 2; ±2,5÷15ВDC; MSOP8; туба

292,07 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
низький рівень шуму
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,22мВ
Вхідний струм зміщення нуля:
1нА
Недоступний
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; 47,5x39,6x34,8мм
Трансформатор: литий; 6,3÷12,6В; 47,5x39,6x34,8мм

0,00 грн

Вторинна напруга 1:
6,3...12,6В
Зовнішні розміри:
47,5x39,6x34,8мм
Монтаж:
THT
Потужність:
10ВА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 12,8А; 2,5Вт; SO8

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
49нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,4А; 350мВт; SOT23,TO236AB

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,68нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21,5А; 53,5Вт; TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; 125Вт; D2PAK

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; 60Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 17А; 60Вт; DPAK; ESD

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,215А; Idm: 1,2А; ESD

9,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SC70; SOT323