Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 30А; Idm: 115А; 337Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: NTHL065N65S3F
395,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 450
Крок додавання: 450
Код товару: NTHL065N65S3F
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 98нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 65мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 337Вт
Струм стока: 30А
Струм стоку в імпульсі: 115А
Технологія: SuperFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 52; FX2; angled; 500mA; 1.27mm
Connector: PCB to PCB; data; PIN: 52; FX2; angled; 500mA; 1.27mm

236,95 грн

Connector family:
data
Кількість пін:
52
Номінальний струм:
0,5А
Покриття контакту:
позолочений
LED; зелений; SMD; 1210; 180÷600мкд; 2÷2,4ВDC; 3,2x2,4x2,4мм; 25°
LED; зелений; SMD; 1210; 180÷600мкд; 2÷2,4ВDC; 3,2x2,4x2,4мм; 25°

7,60 грн

Голівка:
опукла
Довжина хвилі λd:
571нм
Колір діода LED:
зелений
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: metal film; 39мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 39мОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; CSN

2,38 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 0.6N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,4мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X8R; ±20%; SMD; 0805

3,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,42 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67

3177,27 грн

Дальність:
0...1,5мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
PNP / NO
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247