Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; Idm: 162А; 481Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: FCH077N65F-F155
539,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FCH077N65F-F155
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 126нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 68мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 481Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 162А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; мультіплексор; Ch: 2; IN: 8; SMD; TSSOP16; LCX; LCX; 7нс
IC: цифровий; мультіплексор; Ch: 2; IN: 8; SMD; TSSOP16; LCX; LCX; 7нс

14,57 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
мультіплексор
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Дисплей: TFT; 5"; 800x480; 520БSRAM,8МБPSRAM,16МБFLASH; 540кд/м2
Дисплей: TFT; 5"; 800x480; 520БSRAM,8МБPSRAM,16МБFLASH; 540кд/м2

6427,40 грн

Cенсорна панель:
ємкісний
Вид дисплея:
графічний; матриця IPS
Діагональ екрану:
5"
Зовнішні розміри:
142,8x77,9x13,4мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V

376,33 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,6мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 11,8кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 11,8кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 54; THT; 3A; 250V

257,86 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 400ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 47мкФ; 400ВDC; ±20%

98,20 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
18мм
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 25,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 25,5кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 45А; Idm: 162,5А; 446Вт; TO247

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
158нКл
Корпус:
TO247