Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 7,3А; 63Вт; PG-TO252-3

Немає в наявності
Код товару: IPD65R600E6ATMA1
67,79 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD65R600E6ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO252-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 0,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 7,3А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 60В; 10А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 60В; 10А; 30Вт; TO220FP

87,43 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; 0603
Конденсатор: керамічний; 47нФ; 50В; X7R; ±10%; 0603

0,22 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; SMD; 0603; 0,2Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,24 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц
IC: пам'ять FRAM; 8МбFRAM; SPI; 1024Кx8бит; 1,8÷3,6ВDC; 20МГц

0,00 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
GQFN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

2,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 3А; 26,6Вт; PG-VSON-4

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-VSON-4
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 900В; 11А; 50Вт; D2PAK-7; 20нс

414,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
D2PAK-7