Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 6А; Idm: 80А; 1,67Вт; QFN2X2

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DI006N06PW-AQ
32,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI006N06PW-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: QFN2X2
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,67Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; THT; 100Вт; ±1%; 15,75x20,7x4,95мм
Резистор: thick film; 3,3Ом; THT; 100Вт; ±1%; 15,75x20,7x4,95мм

1069,44 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
3,3Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 604кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 604кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
604кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 26,7кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 62Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 33нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT

5,45 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
7,3мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 117Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 35ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TAJ

15,84 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл