Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6

Немає в наявності
Код товару: DI080N06PQ
54,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: DI080N06PQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 78,5нКл
Корпус: QFN5x6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 65В
Опір в стані провідності: 3,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65,8Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; вилка; роз'єм живлення

361,76 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
15мм
Довжина:
27мм
Електричний монтаж:
push-in
Недоступний
Резистор: thin film; 37,4кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 37,4кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 102кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 102кОм; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
102кОм
Діод: TVS; 200Вт; 77,8÷86В; 1,77А; односпрямована; ±5%; SMF,SOD123F
Діод: TVS; 200Вт; 77,8÷86В; 1,77А; односпрямована; ±5%; SMF,SOD123F

8,11 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
70В
Корпус:
SMF; SOD123F
Недоступний
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 200Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; прямий; 4÷6мм
Роз’єм: M12; вилка; PIN: 4; штекерний; промислова; прямий; 4÷6мм

611,38 грн

Alias:
SAISGS-P-4A-4/6-M12
Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Резистор: thin film; 330кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 330кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

6,02 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8