Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 210А; 370Вт; TO220AB

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IRFB3077PBF
248,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 160нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 3,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 210А
Технологія: HEXFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Алмазна пила; Ø: 12мм; Гвинт: M14; Profi
Алмазна пила; Ø: 12мм; Гвинт: M14; Profi

1302,59 грн

Використання інструментів:
для кераміки; для сухих робіт; керамічна плитка
Глибина свердління:
макс. 35мм
Діаметр:
12мм
Монтажний гвинт:
M14
Недоступний
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм
Кожух; метал; гвинт; 120x120мм

79,83 грн

Кріплення:
гвинт
Матеріал:
метал
Розмір вентилятора:
120x120мм
Розмір вентиляційного отвору:
120x120мм
Недоступний
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 147кОм; THT; 250мВт; ±0,5%; Ø2,5x7,2мм; осьові

26,61 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,5%
Недоступний
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 42,2кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 96А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 96А; 600Вт; TO247-3

418,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
145нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 230А; 1670Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 230А; 1670Вт; TO264

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 36Вт; TO220FP; 95нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 60А; 36Вт; TO220FP; 95нс

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
50нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; 300Вт; TO220AB; 400нс

259,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
43нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 18А; 360Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 18А; 360Вт; TO247-3

426,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 80А; 1300Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 80А; 1300Вт; TO264

738,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; 540Вт; TO220AB; 164нс

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
56нКл