1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,89А; 80Вт; TO220-3; ESD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,89А; 80Вт; TO220-3; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP4NK80Z
140,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP4NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 80Вт
Струм стока: 1,89А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

7,16 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,15мкФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: metal film; 20мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN
Резистор: metal film; 20мОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; CSN

1,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 560Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,39 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRG
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRG

0,61 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Конденсатор: електролітичний; 1мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм; Растр: 2мм
Конденсатор: електролітичний; 1мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм; Растр: 2мм

2,66 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Висота:
11мм
Діаметр:
5мм
Ємність:
1мкФ
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; THT
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 6А; THT

3578,31 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
6А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
50,8x25,4x10,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0603

1,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB