Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 60А; 298Вт; TO247-3

Немає в наявності
Код товару: APT8052BLLG
799,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT8052BLLG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 75нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,52Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 298Вт
Струм стока: 15А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: POWER MOS 7®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 806Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

3,12 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 80,6кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 226Ом; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 100мВт; ±1%; 50В; 1x0,5x0,32мм
Резистор: thin film; 68кОм; SMD; 100мВт; ±1%; 50В; 1x0,5x0,32мм

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1x0,5x0,32мм
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 90,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

126,71 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC