Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 290Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: TSM10N80CZ C0G
293,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TSM10N80CZ C0G
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 53нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,05Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 290Вт
Струм стока: 5,7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; односпрямована; DO214AB,SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 56,7÷62,7В; 18,2А; односпрямована; DO214AB,SMC

7,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
51В
Корпус:
DO214AB; SMC
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 26; THT; straight

91,23 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
40,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000000пФ; 2,5В; X6T; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1000000пФ; 2,5В; X6T; ±20%; SMD; 0402

0,84 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6T
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 180пФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD

0,98 грн

Alias:
KGM15ACG2A181KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 280МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 280МГц; UFBGA169; 1,62÷3,6ВDC

618,35 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; LCD controller; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN FD; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; MDIO; PDM; SAI; SDMMC; SPDIF; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
121
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD