Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 100А; Idm: 680А; 306Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: PSMN4R4-80BS,118
162,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN4R4-80BS,118
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 125нКл
Корпус: D2PAK; SOT404
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 9,12мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 306Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 680А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: тиску; 0÷1psi; зразковий; OUT: аналоговий; THT; DIP
Датчик: тиску; 0÷1psi; зразковий; OUT: аналоговий; THT; DIP

3062,60 грн

Діапазон вимірювання тиску:
0...1psi
Конфігурація виходу:
аналоговий
Корпус:
DIP
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 137кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 137кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 0,25Вт; 5,1В; SMD; DFN1006-2; одиночний діод; MM9ZxxB
Діод: зенера; 0,25Вт; 5,1В; SMD; DFN1006-2; одиночний діод; MM9ZxxB

6,97 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DFN1006-2
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; UQFN48; DSPIC; 0,4мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 512кБ; 48кБSRAM; UQFN48; DSPIC; 0,4мм

327,55 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMA; motor controller; PoR; PWM; watchdog
Інтерфейс:
ADC; CAN 2.0B; ECAN; I2C x2; IrDA; JTAG; LIN; PPS; QEI; SMBus; SPI x2; UART x2
Пресуючі губки; 0,5÷1,5мм2,1,5÷2,5мм2,4÷6мм2
Пресуючі губки; 0,5÷1,5мм2,1,5÷2,5мм2,4÷6мм2

7102,14 грн

Переріз проводу:
0,5...1,5мм2; 1,5...2,5мм2; 4...6мм2
Супутні товари:
PR.MCT3149
Тип аксесуарів для кримперів:
пресуючі губки
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A

37,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
IC: PMIC; DC/DC switcher,контролер PWM; Uвих: 3÷100ВDC; uMAX10
IC: PMIC; DC/DC switcher,контролер PWM; Uвих: 3÷100ВDC; uMAX10

323,11 грн

Вид об'єднаної схеми:
DC/DC switcher; контролер PWM
Вихідна напруга:
3...100В DC
Вихідний струм:
6А
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD