Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; Idm: 480А; 155Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: AOT66811L
96,30 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: AOT66811L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 77нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 155Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 480А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 22,8÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; SIP6; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 22,8÷26,4ВDC; Uвих: 5ВDC; SIP6; THT

221,74 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0...200мА
Вхідна напруга:
22,8...26,4В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм
Резистор: thick film; 6,34кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм

0,08 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 1,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 1,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

126,08 грн

Зовнішні розміри:
14x9x5,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
1А
Матеріал контакту:
Ag/Au
Недоступний
Резистор: thick film; 12,7Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12,7Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
12,7Ом
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; PIN: 18; shrouded
Connector: wire-board; male; data; Inom: 3A; PIN: 18; shrouded

328,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Кількість пін:
18
Недоступний
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RN73H; 200В

5,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 0,33мкФ; 50ВDC; SMD; A; 1206; ±20%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 0,33мкФ; 50ВDC; SMD; A; 1206; ±20%; TAJ

15,65 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
0,33мкФ
Корпус:
A
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT