1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 130А; Idm: 520А; 122,5Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 130А; Idm: 520А; 122,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMB040N08HGS
62,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMB040N08HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 78,5нКл
Корпус: PDFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 122,5Вт
Струм стока: 130А
Струм стоку в імпульсі: 520А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,05 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; гніздовий; вилка; 4А; HDC; PUR; 0,3м

4849,22 грн

Довжина проводу:
0,3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 90; THT; 3A; vertical; 2.54mm

606,94 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
90
Клас горючості:
UL94V-0
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1
Модуль робототехніки: перетворювач; DAC,перетворювач D/A; Ch: 1

651,93 грн

Iнформація:
виріб не є готовим приладом, а лише компонентом
Вид модуля:
DAC; перетворювач D/A
Вихідна напруга:
0...5В DC; 0...10В DC
Інтегральна схема:
GP8211S
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±5%; 150В

1,79 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD