Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 160А; Idm: 1453А; 156Вт; DFNW8

Немає в наявності
Код товару: FDMT80080DC
330,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMT80080DC
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 273нКл
Корпус: DFNW8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,22мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 156Вт
Струм стока: 160А
Струм стоку в імпульсі: 1453А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 240Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
240Ом
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 64Кx16бит; 3,3В; 12нс; TSOP44 II; 0÷70°C

303,47 грн

Вид пам’яті:
SRAM; асинхронна
Властивості інтегральних мікросхем:
fast
Корпус:
TSOP44 II
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,54кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 7,5кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,5кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
7,5кОм
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 4,5÷18ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА

791,94 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
4,5...18В DC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 2А; 0,3A/125ВAC; SMT
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 3ВDC; DPDT; 2А; 0,3A/125ВAC; SMT

84,26 грн

Зовнішні розміри:
15,2x7,7x9,7мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
AgPd/Au 0,2мкм
Недоступний
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷125°C

0,15 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 21Вт; DFN3.3x3.3

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 9Вт; DFN3x3 EP

13,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 20,7А; 208Вт; PG-TO263-3

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 900мкА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-40В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 2,5А; 22,7Вт; PG-TO252-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 12,5А; 2,5Вт; SO8

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
SO8