Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 76А; Idm: 400А; 120Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 76А; Idm: 400А; 120Вт
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IAUC100N08S5N043ATMA1
Price: 44.34 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IAUC100N08S5N043ATMA1

44,34 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 5000

Крок додавання: 5000

Код товару:

IAUC100N08S5N043ATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Корпус:

PG-TDSON-8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

4,3мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

120Вт

Струм стока:

76А

Струм стоку в імпульсі:

400А

Технологія:

OptiMOS™ 5

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; 600В; 28А; 210Вт; D2PAK,TO263

159,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
54нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 110А; автомобільна галузь

971,78 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Напруга сток-джерело:
750В

Опір в стані провідності:
15мОм

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 150В; 26,8А; PowerPAK® SO8

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
15нКл

Корпус:
PowerPAK® SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 100В; 300А

133,67 грн

Напруга сток-джерело:
100В

Струм стока:
300А

Тип транзистора:
N-MOSFET

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,33 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
63нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,93 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 190А; 220Вт; D2PAK

141,27 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
D2PAK

Монтаж:
SMD