1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; Idm: 637А; 125Вт; Power56
Немає в наявності
Код товару: FDMS004N08C
126,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMS004N08C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: Power56
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 6,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 637А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 330мкФ; 6,3ВDC; SMD; D; 2917; ±20%; TPS

41,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
330мкФ
Корпус:
D
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 8,2мФ; 50ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SNAP-IN; 8,2мФ; 50ВDC; ±20%

185,00 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Діаметр:
35мм
Допуск:
±20%
Ємність:
8,2мФ
Модуль автоматики: інвертор; 2,2кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; IN: 4
Модуль автоматики: інвертор; 2,2кВт; 3x400ВAC; 3x380÷480ВAC; IN: 4

20195,79 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 400В AC
Вихід напруги:
0...10В
Вихідна частота:
0...500Гц
Властивості входу 1:
задавання швидкості обертання сигналом 0...10В, 4...20мА, 0...20мА
Недоступний
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

121,01 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
15x7,4x8,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8