Транзистор: N-MOSFET; польовий; 85В; 125А; Idm: 500А; 162Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WMM053NV8HGS
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WMM053NV8HGS
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 76,2нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 85В
Опір в стані провідності: 5,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 162Вт
Струм стока: 125А
Струм стоку в імпульсі: 500А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 77,8÷86В; 26,6А; двоспрямована; SMC
Діод: TVS; 3кВт; 77,8÷86В; 26,6А; двоспрямована; SMC

38,01 грн

Зворотна напруга макс.:
70В
Корпус:
SMC
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
77,8...86В
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 1,5кВт; 122В; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

310,44 грн

Зворотна напруга макс.:
110В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; 50В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 4,22кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; 50В; 25ppm/°C

1,56 грн

Допуск:
±0,1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 13,3кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±1%; HP; 200В

1,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Вилка; PIN: 20; прямий; 1,27мм; Покриття: позолочений; -55÷85°C
Вилка; PIN: 20; прямий; 1,27мм; Покриття: позолочений; -55÷85°C

0,00 грн

Кількість пін:
20
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Растр контактів:
1,27мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,11пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,11пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,11пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 27,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 27,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404