Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 5А; Idm: 32А; 130Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: STW10N95K5
229,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW10N95K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 950В
Опір в стані провідності: 0,65Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X5R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X5R; ±20%; SMD; 0603

6,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Модуль автоматики: softstart; Uживл: 200÷480ВAC; на шину DIN
Модуль автоматики: softstart; Uживл: 200÷480ВAC; на шину DIN

13824,14 грн

Властивості контролерів:
вбудований by-pass
Додаткові функції:
обмеження пускового струму
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
560пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HP; 200В

0,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; SMT; 3A; 100V

102,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,8мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 430пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD

0,81 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 17А; 42Вт; PG-TO220-3-FP

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3-FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 25А; 208Вт; PG-TO220-3

311,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 50А; 227Вт; PG-TO247-4

734,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Корпус:
PG-TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; 133В; 8,8А; 182Вт; TO220-3

2122,41 грн

Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±10В
Напруга сток-джерело:
133В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 78А; 134Вт; TO220

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4,4А; 104Вт; PG-TO262-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 14А; 170Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT