Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А

Немає в наявності
Код товару: APT1201R5BVFRG
1509,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT1201R5BVFRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 285нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 1,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 3Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3Ом; 1206; 250мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: Darlington; 5кВ; CTR@If: 800%@1mA; туба
Оптрон; THT; Ch: 4; OUT: Darlington; 5кВ; CTR@If: 800%@1mA; туба

0,00 грн

CTR@If:
800%@1mA
Вид виходу:
Darlington
Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 560пФ; 250В; C0G (NP0); ±1%; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 82,5Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 82,5Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,81 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

126,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Висота:
11,6мм
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; ±5%; 75В; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; 0603; ±5%; 75В; -55÷155°C; 100ppm/°C

0,62 грн

Допуск:
±5%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT