Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 22А; Idm: 88А

Немає в наявності
Код товару: APT5024BVRG
1233,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT5024BVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 0,21мкКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 0,24Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 280Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 88А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thin film; 5,23кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 5,23кОм; 0603; 100мВт; ±0,1%; CRT; -55÷155°C

4,62 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
5,23кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 9,09Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,09Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,95 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 35ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 100мкФ; 35ВDC; Ø8x10,5мм; ±20%

29,78 грн

Висота:
10,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: metal film; 68Ом; THT; 2Вт; ±1%; Ø3,9x10мм; -55÷155°C
Резистор: metal film; 68Ом; THT; 2Вт; ±1%; Ø3,9x10мм; -55÷155°C

5,63 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Опір:
68Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 158Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 158Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; low ESR; 1,5нФ; 2кВDC; 700ВAC; THT

12,48 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Вид матеріалу:
що самогаситься
Властивості конденсаторів:
низький коефіцієнт втрат
Довжина відводів:
6мм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

866,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22,1нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт

594,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 500В; 40А; Idm: 160А

287,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
165,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 10А; Idm: 40А; 62,5Вт; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 900В; 6А; Idm: 24А; 50Вт

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86,2нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; Idm: 290А; 190Вт; TO247AC

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC