1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 77А; Idm: 308А

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 77А; Idm: 308А
Немає в наявності
Код товару: APT50M60L2VRG
1932,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT50M60L2VRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 560нКл
Корпус: TO264MAX
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 60мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 833Вт
Струм стока: 77А
Струм стоку в імпульсі: 308А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 12кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 12кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Діод: зенера; 1Вт; 47В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100нА
Діод: зенера; 1Вт; 47В; SMD; DO213AB,MELF glass; 100нА

173,59 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
47В
Корпус:
DO213AB; MELF glass
Монтаж:
SMD
Недоступний
XO; 62,5МГц; 15пФ; ±45ppm; ±3ppm/рік; 7x5x1,3мм; 3,3В; -40÷85°C
XO; 62,5МГц; 15пФ; ±45ppm; ±3ppm/рік; 7x5x1,3мм; 3,3В; -40÷85°C

41,18 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
15пФ
Робоча напруга:
3,3В
Робоча температура:
-40...85°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; 300В; -55÷155°C

4,17 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 162Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; 150А; GBL; Ufmax: 1В
Випрямний міст: однофазний; Urmax: 800В; 150А; GBL; Ufmax: 1В

33,32 грн

Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Корпус:
GBL
Пряма напруга макс.:
1В
Струм в імпульсі макс.:
150А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 120пФ; 100В; X8G; ±2%; SMD; 0603

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 34,8А; Idm: 220А; 48Вт; TO220FP

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
37нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 15А; Idm: 96А; 250Вт; TO247

447,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 31А; Idm: 200А; 360Вт; TO247

544,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
90нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12А; Idm: 72А; 42,8Вт; TO220F

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт

888,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
149нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 35Вт; TO220FP

251,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 56А; 227Вт; TO220AB

229,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220AB