1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1,1кВ; 40А; 1560Вт; 434нс

Транзистор: N-MOSFET; Q3-Class; польовий; 1,1кВ; 40А; 1560Вт; 434нс
Немає в наявності
Код товару: IXFB40N110Q3
2146,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFB40N110Q3
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 300нКл
Корпус: PLUS264™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1,1кВ
Опір в стані провідності: 0,26Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,56кВт
Струм стока: 40А
Технологія: HiPerFET™; Q3-Class
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 434нс
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 80Вт; 24ВDC; 220÷240ВAC; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI; 80Вт; 24ВDC; 220÷240ВAC; IP20

3200,08 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Електричне під'єднування:
затискна рейка
Недоступний
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%

3,67 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 64,9кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,6А; 100Вт; TO252; 11нс

260,39 грн

Вид каналу:
збіднений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
645нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,69кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 22,6Ом; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 604Ом; прецизійний; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%

3,22 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 5А; 23Вт; TO220FP

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 5,3А; 45Вт; TO251

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 13А; 86Вт; TO262

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 600В; 11А; 85Вт; TO251

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO220AB

375,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 520А; 1250Вт; TO264

964,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
545нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 270А; 375Вт; TO247-3; 48нс

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
182нКл