Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; польовий; 30В; 18А

Немає в наявності
Код товару: SIS780DN-T1-GE3
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIS780DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 24,5нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 17,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 17,7Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET + Schottky
ROCKER; SPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/24ВDC; чорний; IP65; RF; UL94V-2
ROCKER; SPST; Поз: 2; ON-OFF; 10A/24ВDC; чорний; IP65; RF; UL94V-2

183,73 грн

Виводи:
конектори
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

49,42 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2700мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 2700мА

1293,08 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
2,7А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Осцилоскоп: цифровий; Ch: 2; 1ГГц; 20Гвиб./с; 4Мвыб; LCD TFT 12,1"
Осцилоскоп: цифровий; Ch: 2; 1ГГц; 20Гвиб./с; 4Мвыб; LCD TFT 12,1"

1242781,56 грн

Cенсорна панель:
так
Iнформація:
Продукти призначені тільки для професійного та промислового застосування і не підходять для використання в побуті.
Вертикальна роздільність:
8бит
Вид вжитого дисплея:
LCD TFT 12,1"
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 500В; 32А; Idm: 128А

772,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
300нКл
Корпус:
D3PAK
Недоступний
Резистор: thick film; 24мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C
Резистор: thick film; 24мОм; SMD; 1206; 330мВт; ±5%; CS; -55÷155°C

2,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; Y; 2917; ±10%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 22мкФ; 20ВDC; SMD; Y; 2917; ±10%; -55÷125°C

45,62 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Корпус:
Y
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 21А; 100Вт; DPAK; ESD

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD