1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 145А; 208Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 145А; 208Вт; TO247
Немає в наявності
Код товару: GT045N10Q
105,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT045N10Q
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 145А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 250В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; двоспрямована; SMA; P4SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 40÷44,2В; 6,9А; двоспрямована; SMA; P4SMAJ

3,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
36В
Корпус:
SMA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; 38Вт; 54В; 700мА; 176÷276ВDC; IP20
Блок живлення: імпульсний; 38Вт; 54В; 700мА; 176÷276ВDC; IP20

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Вихідна напруга:
54В
Вихідний струм:
0,7А
Вхідна напруга:
220...240В
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 2.54mm
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 14; THT; 2.54mm

95,03 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
6,7мм
Довжина відводів:
3,2мм
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; USART; SMD; SOIC18; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 3,5кБ; 20МГц; USART; SMD; SOIC18; PIC16

145,72 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
USART
Кількість входів/виходів:
16
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт

297,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

475,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

230,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP