1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 63А; 80Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 63А; 80Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: GT105N10M
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT105N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 80Вт
Струм стока: 63А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ

1,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,9пФ
Вилка; штекерний; PIN: 9; 1,25мм; луджений; поліефір; компресійний
Вилка; штекерний; PIN: 9; 1,25мм; луджений; поліефір; компресійний

319,31 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
компресійний
Кількість пін:
9
Матеріал корпусу:
поліефір
Недоступний
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 34; vertical; SMT; 2.54mm
Connector: IDC; socket; male; data; PIN: 34; vertical; SMT; 2.54mm

41,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
34
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 160В; 0,06А; 0,64Вт; SOT723
Транзистор: NPN; біполярний; 160В; 0,06А; 0,64Вт; SOT723

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT723
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
160В
Недоступний
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 1,33кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,50 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 150мкФ; 10ВDC; SMD; D; 2917; ±10%; TPS

129,24 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
150мкФ
Корпус:
D
Корпус - дюйм:
2917
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 5МГц; Ch: 1; ±2,25÷18ВDC,4,5÷36ВDC

155,85 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
zero-drift
Вхідна напруга зміщення нуля:
0,004мВ
Вхідний поляризаційний струм:
7нА
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

765,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
121нКл
Корпус:
HU3PAK
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 5,2Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 5,2Вт; PowerPAK® SO8

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 156Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
25нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл