1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 7,5А; 19Вт; DFN3x3-8

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 7,5А; 19Вт; DFN3x3-8
Немає в наявності
Код товару: GT800N10D3
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT800N10D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 19Вт
Струм стока: 7,5А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷125°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23

6,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,8пФ; 50В; X8G; ±0,25%; SMD; 0402

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Резистор: thin film; 205кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 205кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1512Вт
Блок живлення: імпульсний; для вбудовування,модульний; 1512Вт

18388,26 грн

Вид блоку живлення:
для вбудовування; модульний
Вид корпусу:
277A
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
31,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,3Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
1,3Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 2,37кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD