1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 45А; 69Вт; DFN5x6-8

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 45А; 69Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: GT090N06D5H
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT090N06D5H
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 69Вт
Струм стока: 45А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 5А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 26,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 5А

19505,22 грн

Зовнішні розміри:
33,53x10,41x10,41мм
Кількість пін:
8
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
5А
Недоступний
Резистор: metal film; 243Ом; SMD; MELF; 300мВт; ±1%; 1,1x2,2мм
Резистор: metal film; 243Ом; SMD; MELF; 300мВт; ±1%; 1,1x2,2мм

0,00 грн

Виводи:
паяльні пункти
Діаметр:
1,1мм
Довжина:
2,2мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 20А; TO220AC; Ufmax: 1,8В
Діод: випрямний Шотткі; SiC; THT; 1,2кВ; 20А; TO220AC; Ufmax: 1,8В

123,54 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
TO220AC
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73H; 200В
Резистор: thin film; 24Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; RN73H; 200В

7,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 100V

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 2,61Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,61Ом; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
2,61Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD