Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 55А; 244Вт; TO247-4

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IMZC120R034M2HXKSA1
427,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IMZC120R034M2HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 34мОм
Потужність розсіювання: 244Вт
Струм стока: 55А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Кабель; плоска; 2x0,5мм2; проводи,DC 5,5/2,5 гніздо; прямий; 2м
Кабель; плоска; 2x0,5мм2; проводи,DC 5,5/2,5 гніздо; прямий; 2м

201,47 грн

Вид жили:
Cu
Довжина кабелю:
2м
Довжина контакту:
11мм
Зовнішні розміри проводу:
2x4,1мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА
Діод: зенера; 500мВт; 5,1В; SMD; DO213AA; 10мкА

201,47 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
5,1В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; BGA247; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; BGA247; 32кБSRAM

501,77 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
DBGU; FLEXCOM x8; LCD RGB 24-bit; MCI; SSC; USB x2
Кількість каналів PWM:
4
Недоступний
Sweatshorts; Size: XXXL; black; short; 320g/m2
Sweatshorts; Size: XXXL; black; short; 320g/m2

1013,05 грн

Вага:
320г/м2
Відповідність стандарту:
CE
Колір:
чорний
Матеріал:
бавовна; еластан; поліестер
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 43,2А; Idm: 120А; 417Вт

0,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
83нКл
Недоступний
Резистор: thin film; 15Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 15Ом; прецизійний; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%

2,08 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 24кБSRAM; TQFP64; DSPIC; 0,5мм
IC: мікроконтролер dsPIC; 256кБ; 24кБSRAM; TQFP64; DSPIC; 0,5мм

105,17 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
CLC x4; CRC; DMAC x4; PWM; watchdog
Інтерфейс:
I2C x3; PMP; PWM; QEI x2; SENT x2; SPI x3; UART x3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 9А; 63Вт; TO251

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 15,8А; 40Вт; TO220FP

195,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 80А; 890Вт; TO247-3

848,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 100В; 110А; 480Вт; TO247-3

468,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 130А; 390Вт; TO247-3; 80нс

506,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
80нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 26А; 500Вт; TO220AB

564,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 156А; 600Вт; ISOPLUS247™

1127,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
358нКл