Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,4кВ; 246А; 974Вт; TO247-4

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IMYR140R006M2HXLSA1
2707,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 240
Крок додавання: 240
Код товару: IMYR140R006M2HXLSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...23В
Напруга сток-джерело: 1,4кВ
Опір в стані провідності: 5,8мОм
Потужність розсіювання: 974Вт
Струм стока: 246А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Датчик: тиску; 20,69бар; абсолютний; OUT: аналоговий; THT
Датчик: тиску; 20,69бар; абсолютний; OUT: аналоговий; THT

1950,71 грн

Діапазон вимірювання тиску:
20,69бар
Конфігурація виходу:
аналоговий
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-20...100°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 15; THT; 3A; 250V

110,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 56; THT; 3A; 250V

398,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,2мм
Недоступний
З`єднання: на рейку; Entrelec
З`єднання: на рейку; Entrelec

606,31 грн

Alias:
HD120/30.F10.31.1
Серія виробника:
Entrelec
Тип з`єднання:
на рейку
Резистор: thin film; 475Ом; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 475Ом; 0805; 130мВт; ±1%; RT; -55÷125°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
475Ом
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD